国家知识产权局信息显示，成都高投芯未半导体有限公司申请一项名为“一种IGBT模块焊接治具及焊接方法”的专利，公开号CN121820820A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本申请属于功率半导体技术领域，具体揭示了一种IGBT模块焊接治具及焊接方法，该治具包括：底板和DBC定位框，其中，底板的四角边缘处分别设置有安装孔，每个安装孔内均设置有销钉，DBC定位框通过销钉固定于底板上表面。本申请通过一次性焊接工艺并提供焊接治具，能够提升IGBT模块的焊接效率和良率。
天眼查资料显示，成都高投芯未半导体有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本30000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都高投芯未半导体有限公司参与招投标项目213次，财产线索方面有商标信息13条，专利信息47条，此外企业还拥有行政许可80个。
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作者：情报员
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